| 发明名称 | 集成电路及集成电路的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种利用现场蒸气产生技术(in－suit steam generation，ISSG)以降低硅及氧化硅区域中的氮浓度，且提供可预期的氧化硅厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN101030553A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200710003176.2 | 申请日期 | 2007.02.25 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司（新加坡子公司） | 发明人 | 董忠;陈计良;陈庆华 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高翔 |
| 主权项 | 1.一种制造集成电路的方法，其包含：提供第一区域，该第一区域包含硅及/或氧化硅，且亦包含氮，该第一区域为该集成电路的一部分；以及以现场蒸气产生技术于该第一区域上形成氧化硅层，以降低该第一区域中的氮浓度。 | ||
| 地址 | 新加坡608840号08－09ODC城通关道30号 | ||