摘要 |
<p>Vorgestellt wird ein Verfahren zur Herstellung eines DMOS-Transistors in einem Halbleiterkörper (10), mit einer grabenförmigen Driftregion (29, 30, 33), die einen Sourceseitigen Seitenbereich (29), einen sich in lateraler Richtung erstreckenden Bodenbereich (30) und einen Drain-seitigen Seitenbereich (33) aufweist. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass in dem Bodenbereich (30) ein in lateraler Richtung (36) weisender Gradient einer Dotierstoffkonzentration durch wenigstens eine von oben erfolgende Implantation eines Dotierstoffs erzeugt wird, die nur einen Teilbereich (40) des Bodenbereichs (30) erfasst.
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