发明名称 Method of making a MOS transistor having a drift region with a trench
摘要 <p>Vorgestellt wird ein Verfahren zur Herstellung eines DMOS-Transistors in einem Halbleiterkörper (10), mit einer grabenförmigen Driftregion (29, 30, 33), die einen Sourceseitigen Seitenbereich (29), einen sich in lateraler Richtung erstreckenden Bodenbereich (30) und einen Drain-seitigen Seitenbereich (33) aufweist. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass in dem Bodenbereich (30) ein in lateraler Richtung (36) weisender Gradient einer Dotierstoffkonzentration durch wenigstens eine von oben erfolgende Implantation eines Dotierstoffs erzeugt wird, die nur einen Teilbereich (40) des Bodenbereichs (30) erfasst. </p>
申请公布号 EP1517361(A3) 申请公布日期 2007.09.05
申请号 EP20040022111 申请日期 2004.09.17
申请人 ATMEL GERMANY GMBH 发明人 DUDEK, VOLKER, DR.;GRAF, MICHAEL, DR.
分类号 H01L29/08;H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L29/08
代理机构 代理人
主权项
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