| 发明名称 | 硅化铪靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供由Hf<SUB>0.82-0.98</SUB>组成的栅氧化膜形成用硅化铪靶，其中氧含量为500～10000ppm。制造了栅氧化膜形成用硅化铪靶，其中合成具有由Hf<SUB>0.82-0.98</SUB>构成的组成的粉末，将其粉碎到100目或小于100目，然后在1700℃～2120℃和150～2000kgf/cm<SUP>2</SUP>下进行热压或热等静压(HIP)。由此得到的硅化铪靶，以及制造方法，适于形成可以作为耐脆化性优异的高介电栅绝缘膜的HfSiO和HfSiON膜，粒子的产生少，并且在其制造过程中不可能产生烧结粉的发火或粉尘的爆炸。 | ||
| 申请公布号 | CN100335676C | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN03801249.9 | 申请日期 | 2003.07.03 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 入间田修一;铃木了 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王海川;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种栅氧化膜形成用硅化铪靶，其由HfSi0.82-0.98组成，其中氧含量为500～10000ppm，相对密度为不低于95％。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||