| 发明名称 | 磁存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁存储器件，其能够利用金属线读和写信息。该磁存储器件包括：多个第一金属线，在衬底上彼此平行布置并具有磁化方向可转换的连续磁畴；多个第二金属线，垂直交叉该第一金属线地布置在该衬底上并具有该第一金属线从其通过的隧道；第一输入单元，连接到该第一金属线并提供电流来拖动该磁畴；第二输入单元，连接到该第二金属线并应用电流来转换该隧道内该磁畴的磁化方向；及检测单元，连接到该第二金属线并检测由通过该隧道的磁畴壁引起的电动势。因此，该磁存储器件可以通过在衬底上交叉金属线而简单地制造，并能通过根据感应电动势的存在识别位信息而准确地读和写信息。 | ||
| 申请公布号 | CN101030592A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200610135956.8 | 申请日期 | 2006.10.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 申尚旻;金庸洙;朴允童 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01);H01L23/522(2006.01);G11C11/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种磁存储器件，包括：多个第一金属线，在衬底上彼此平行布置且具有其磁化方向可转换的连续磁畴；多个第二金属线，垂直交叉该第一金属线地布置在该衬底上并具有该第一金属线从其穿过的隧道；第一输入单元，连接到该第一金属线并提供电流来拖动该磁畴；第二输入单元，连接到该第二金属线并应用电流来转换该隧道内所述磁畴的磁化方向；及检测单元，连接到该第二金属线并检测由穿过该隧道的磁畴壁引起的电动势。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||