成膜材料以及通过辐照所述材料的膜制备表面起伏和光学异向性结构

摘要

本发明涉及一种成膜的、光敏的、均匀混合的包含一种由(a)至少一种可以进行选自光致异构化、光致环加成和光诱导重排的光致反应的离子光敏化合物和/或(a′)至少一种带有可以进行所述光致反应的残基的光敏高分子电解质(“第二高分子电解质”)以及(b)至少一种带有与光敏材料活性基团电荷相反的电荷的(“第一”)高分子电解质而制备的复合物的材料。这种材料由于非散射而具有独特的光化学特性，由此可制备能够使得光学各向异性和拓扑表面结构例如如表面起伏光栅(SRG)光致产生的光学透明膜。

主权项

1、成膜的、光敏的、均匀混合的包括一种复合物的材料，所述符合物可从以下化合物制备：(a)至少一种可以进行选自光致异构化、光致环加成和光致重排的光致反应的离子光敏化合物，其中光敏化合物为式I或式I1的结构：[R-P-R′]n+n/xAx-(I)或n/xAx+[R-P-R′]n-(II)其中P是能够进行光致异构化的基团，R和R′独立地选自任选取代或功能化的含芳基基团，至少其中之一带正电荷或带负电荷，A为带相反电荷的阳离子或阴离子，n为整数，x为1、2或3；和/或光敏化合物为式III或式IV的结构：[R1-Q-R1′]n+n/xAx-(III)或n/xAx+[R1-Q-R1′]n-(IV)其中Q为能够参与光致环加成反应或光致重排反应的基团，R1和R1′独立地选自任选取代或功能化的具有接受电子特性的基团以及任选取代或功能化的包含芳基的基团以及选自与Q一起形成芳环或杂芳环的基团，其中R1和R1′中的至少一个带有正电荷或负电荷，或者环结构和/或其上的取代基带有至少一个正电荷或负电荷，其中A、n和x的定义如同式I和II。条件为在所有包含在一种复合物中的式(I)～(IV)的化合物中，[R-P-R′]和/或[R1-Q-R1′]的电荷具有同样的符号，和/或(a′)至少一种带有可以进行选自光致异构化、光致环加成和光致重排的光致反应的残基的光敏高分子电解质(“第二高分子电解质”)，其中所述第二高分子电解质实质上由至少一种依照式Ia或式IIa的结构组成或主要包括依照式Ia或式IIa的结构：[Pol(R*-P-R′)]o on+n/xAx-(Ia)或n/xAx+[Pol(R*-P-R′)]o on-(IIa)和/或式IIIa或式Iva的结构：[Pol(R1*-Q-R1′)]o on+n/xAx-(IIIa)或n/xAx+[Pol(R1*-Q-R1′)]o on-(IVa)其中Pol是指线性或支链聚合物链的重复单元，o指聚合物链的重复单元的数目，(R*-P-R′)和(R1*-Q-R1′)为重复单元Pol的带有n个正电荷或负电荷的侧链，其中P、R′、R1′、Q、A、x和n的定义如同上面式(I)～(IV)的定义，R*选自任选取代和/或功能化的与重复单元Pol和基团P相连的含芳基基团，其中至少R*和R′中的一个带有正电荷或负电荷，R1*选自任选取代或功能化的具有接受电子特性并与重复单元Pol和基团Q相连的基团，其中至少R1*和R1′中的一个带有正电荷或负电荷，或者其中包含R1′和Q的环结构和/或其上的取代基带有至少一个正电荷或负电荷，o至少为2，优选在2和1000之间，然而也可以甚至更高，条件为在一个复合物中，基团[R*-P-R′]和/或[R1*-Q-R1′]都具有同样的符号，以及(b)至少一种带有分别与光敏材料的活性基团[R-P-R′]和/或[R1-Q-R1′]的电荷相反的电荷和/或与活性基团(R*-P-R′)和/或(R1*-Q-R1′)的电荷相反的电荷的高分子电解质。