| 发明名称 | 非易失存储器件和非易失存储器阵列 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失存储器件和非易失存储器件阵列，其中所述非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101030622A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200610132100.5 | 申请日期 | 2006.10.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李明宰;柳寅儆;李殷洪;金钟完;金东彻;安承彦 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);G11C13/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种非易失存储器件，包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||