| 发明名称 | 使用牺牲隔离体的应变沟道FET | ||
| 摘要 | 提供了一种场效应晶体管(FET)(10)，其包括栅极叠层(29)，一对设置在所述栅极叠层(29)的侧壁上的第一隔离体(32)以及一对设置在所述栅极叠层(29)的相对两侧并与栅极叠层相隔第一距离的单晶半导体合金区(39)。所述FET(10)的源区和漏区(24)至少部分设置在所述半导体合金区(39)中，并由所述第一隔离体(32)对中的相应隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离可以不同于所述第一距离。所述FET(10)还可以包括设置在所述第一隔离体(32)上的第二隔离体(34)以及至少部分上覆盖所述半导体合金区(39)的硅化物区(40)，其中该硅化物区(40)被所述第一和第二隔离体(32，34)与所述栅极叠层(29)隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN101032018A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200580032811.9 | 申请日期 | 2005.09.29 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;株式会社东芝 | 发明人 | 陈华杰;杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥;吴尚贤;斯德哈萨·潘达;沃纳·A.·劳施;佐藤力;亨利·K.·尤托莫 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管(FET)(10)，包括：上覆盖衬底(17)的单晶半导体区(14)的栅极叠层(29)，所述单晶半导体区(14)具有第一组成；一对设置在所述栅极叠层(29)的相对侧壁上的第一隔离体(32)；一对主要由具有不同于所述第一组成的第二组成的单晶半导体合金组成的区域(39)，所述单晶半导体合金区域(39)设置在所述栅极叠层(29)的相对侧，所述半导体合金区(39)中的每一个与所述栅极叠层(29)相隔第一距离；以及至少部分设置在所述半导体合金区(39)中的相应一个中的一对源区和漏区(24)，所述源区和所述漏区(24)分别由所述第一隔离体(32)对中的相应第一隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离不同于所述第一距离。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||