电阻值计算方法

摘要

根据半导体集成电路的掩模布图信息(31)，分别对电源配线的电阻值(Rline)、去耦电容的电阻值(Rcap)、及晶体管的电阻值(Rmos)进行计算。根据电源配线的电阻值(Rline)、去耦电容的电阻值(Rcap)及晶体管的电阻值(Rmos)，对外部端子间的电阻值(Ri)进行计算。从而能够以比现有技术更高的精度、更短的时间，对半导体集成电路的内部电阻值进行计算。

主权项

1.一种电阻值计算方法，是对一种半导体集成电路的内部电阻值进行计算的方法，该半导体集成电路具备：分别与第1及第2外部端子电连接的第1及第2电源配线；和分别连接于所述第1及第2电源配线之间、具有晶体管和去耦电容的多个单元；其特征在于，具备：由所述半导体集成电路的掩模布图信息，对是所述第1及第2电源配线的电阻值的第1电阻值进行计算的第1工序；和由所述掩模布图信息，对是所述多个单元具有的去耦电容的电阻值的第2电阻值进行计算的第2工序；和由所述掩模布图信息，对是所述多个单元具有的晶体管的电阻值的第3电阻值进行计算的第3工序；和由所述第1～第3工序中分别得到的所述第1～第3电阻值，对所述第1及第2外部端子间的电阻值进行计算的第4工序。