| 发明名称 | 等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在对防反射膜进行蚀刻时，能够在宽范围控制等离子体，由此可控制蚀刻特性的分布，因此在之后的蚀刻对象膜的蚀刻中能够控制CD分布。本发明的等离子体蚀刻方法用于对在被处理体(W)上形成的防反射膜进行等离子体蚀刻，包括：在上下相对设置有第一电极(34)和第二电极(16)的处理容器(10)内，配置在基板上依次形成有蚀刻对象膜、防反射膜和被图案化的光致抗蚀剂膜的被处理体的工序；向处理容器(10)内导入处理气体的工序；向第一电极(34)和第二电极(16)中的任一个施加高频电力，生成等离子体的工序；向任一个电极施加直流电压的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101030527A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200710084786.X | 申请日期 | 2007.02.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 广津信;内藤和香子;铃木敬纪 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体蚀刻方法，用于对在被处理体上形成的防反射膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，包括：在上下相对设置有第一电极和第二电极的处理容器内，配置在基板上依次形成有蚀刻对象膜、防反射膜和被图案化的光致抗蚀剂膜的被处理体的工序；将处理气体导入处理容器内的工序；向所述第一电极和第二电极中的任一个施加高频电力，生成等离子体的工序；和向所述任一个电极施加直流电压的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||