发明名称 METHOD OF MANUFACTURING DOPED Inx AlyGa1-x-yN EPITAXIAL LAYERS, DOPED InxAlyGa1-x-yN EPITAXIAL LAYER AND SEMICONDUCTOR MULTI-LAYER STRUCTURE COMPRISING AT LEAST ONE DOPED InxALyGa1-x-yN EPITAXIAL LAYER, WHERE
摘要
申请公布号 EP1829090(A1) 申请公布日期 2007.09.05
申请号 EP20050817699 申请日期 2005.12.14
申请人 INSTYTUT WYSOKICH CISNIEN POLSKIEJ AKADEMII NAUK 发明人 SKIERBISZEWSKI, CZESLAW;POROWSKI, SYLWESTER;GRZEGORY, IZABELLA;PERLIN, PIOTR;LESZCZYNSKI, MICHAL;SIEKACZ, MARCIN;FEDUNIEWICZ, ANNA;SUSKI, TADEUSZ;WISNIEWSKI, PRZEMYSLAW;BOCKOWSKI, MICHAL
分类号 H01L21/203;H01L21/20 主分类号 H01L21/203
代理机构 代理人
主权项
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