发明名称 |
铝电解电容器用负极铝腐蚀箔表面残留铜的去除方法 |
摘要 |
本发明涉及一种降低铝电解电容器用负极铝腐蚀箔表面残留铜含量的方法。通过采用高浓度硝酸添加铜离子络合剂,以及电化学电解提取铜的装置来去除硬态电子铝箔制成的负极铝腐蚀箔表面残留铜。该方法可以把腐蚀箔表面残留铜含量降低到5mg/m<SUP>2</SUP>以下。本发明具有工艺简单,对现有负极箔生产设备改动小,所生产的铝负极箔静电容量高,力学性能不受影响等优点。 |
申请公布号 |
CN100336143C |
申请公布日期 |
2007.09.05 |
申请号 |
CN03150482.5 |
申请日期 |
2003.08.21 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
任晓辉;张洪斌 |
分类号 |
H01G9/045(2006.01);H01G9/055(2006.01);C25F3/04(2006.01);C23G1/12(2006.01);C23F1/18(2006.01) |
主分类号 |
H01G9/045(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟 |
主权项 |
1铝电解电容器用负极铝腐蚀箔表面残留铜的去除方法,其特征是该方法用于硬态电子铝箔用化学法制成的腐蚀箔,在清洗槽中采用高浓度硝酸添加铜离子络合剂作为清洗液,以及采用电化学电解提取铜的装置,同时清洗氯离子和残留铜;其中的硝酸浓度为20~60wt%,硝酸液温为15~60℃,浸洗时间为5~90s,溶液中还添加了100~600ppm的铜离子络合剂。 |
地址 |
200030上海市华山路1954号 |