| 发明名称 | 微米级芯片封装结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及为一种微米级芯片封装结构。它是在芯片本体(1)一表面设有一焊垫(2)，焊垫(2)外周边及外周边以外的芯片本体(1)表面设置保护层(3)，其特点是焊垫(2)表面及其外周边的保护层(3)上依次叠加钛层(4)、铜层(5)和铜柱(6)，铜柱(6)顶端植置锡球(7)。本发明的封装结构能提高植球接合处结合力及创建一个足够的物质空间以防锡球偏离焊垫。 | ||
| 申请公布号 | CN100336215C | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200410064806.3 | 申请日期 | 2004.09.30 |
| 申请人 | 江阴长电先进封装有限公司 | 发明人 | 王新潮;赖志明 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所 | 代理人 | 唐纫兰 |
| 主权项 | 1、一种微米级芯片封装结构，包括芯片本体(1)，芯片本体(1)一表面设有一焊垫(2)，焊垫(2)外周边及外周边以外的芯片本体(1)表面设置保护层(3)，其特征在于焊垫(2)表面及其外周边的保护层(3)上依次叠加钛层(4)、铜层(5)和铜柱(6)，铜柱(6)顶端植置锡球(7)。 | ||
| 地址 | 214431江苏省江阴市滨江中路275号 | ||