| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极材料；蚀刻栅极材料以形成栅极图案，每一个栅极图案包括保留在衬底上的部分栅极材料；在接触位线的部分衬底上实施晕圈离子注入过程；形成栅极图案的侧壁隔离物；和采用侧壁隔离物作为掩模蚀刻保留的部分栅极材料以暴露衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101030558A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200610162258.7 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李昌九 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极材料；蚀刻栅极材料以形成栅极图案，每一个所述栅极图案包括保留在衬底上的部分栅极材料；在位线接触的部分衬底上实施晕圈离子注入过程；形成栅极图案的侧壁隔离物；和利用侧壁隔离物作为掩模蚀刻保留的部分栅极材料以暴露衬底。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||