双栅极CMOS的制造

摘要

本发明涉及一种制造CMOS器件的方法，包括提供其中具有绝缘材料层(102)的半导体基板(101)，该方法包括在绝缘层(102)上提供第一材料层(106)，第一材料层(106)在用于支撑第一有源器件的第一区域(103)中的厚度比在用于支撑第二有源器件的第二区域(104)中的厚度薄。然后，在第一材料层(106)上沉积第二材料层(107)，然后对该结构进行热处理，以熔合第一和第二材料。第一区域上的层部分整个熔合，而第二区域上的层部分不熔合，使得保留第一材料层(106)的一部分(109)。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括分别设置在半导体基板的第一和第二区中的、分别属于第一和第二类型的第一和第二有源器件，所述方法包括步骤：-沉积栅极绝缘层(102)，-在所述栅极绝缘层上的所述半导体基板上沉积第一栅电极材料层(106；200)，-在所述第一栅电极材料层上沉积第二栅电极材料层(107；212)，其中所述栅电极材料层之一在第一有源器件中的厚度比在第二有源器件中更薄，-处理所述第一和第二栅电极材料层，以使所述第一和第二栅电极材料仅在所述第一有源器件中、在各个层的基本整个厚度上熔合(108；214)。