发明名称 |
一种用于瞬间提高电压的电路 |
摘要 |
本实用新型涉及一种采用PWM信号输入方式灵活控制电磁锁瞬间电压的电路,包括电磁铁,输出PWM信号的微处理器、电压隔离光电耦合器以及用于控制电磁铁通断的MOSFET管,不同占空比的PWM信号经过光电耦合器后反相输出,控制MOSFET管的通断,从而实现对电磁铁吸合力度的调节,本实用新型电路设置简单合理,可以根据PWM信号的占空比不同而使得电磁铁工作在不同的电压,从而可以灵活地控制电磁铁的吸合力度。 |
申请公布号 |
CN200942784Y |
申请公布日期 |
2007.09.05 |
申请号 |
CN200620014226.8 |
申请日期 |
2006.06.05 |
申请人 |
方大集团股份有限公司 |
发明人 |
熊建明;朱卫平;彭海龙;吴慧敏;刘晓东;胡建华;胡海英 |
分类号 |
B61K13/04(2006.01);H01F7/18(2006.01) |
主分类号 |
B61K13/04(2006.01) |
代理机构 |
深圳市顺天达专利商标代理有限公司 |
代理人 |
郭伟刚 |
主权项 |
1、一种用于瞬间提高电压的电路,包括电磁铁,其特征在于,还包括输出脉冲宽度调制信号的微处理器、避免因高电压烧坏所述微处理器的光电耦合器以及用于控制电流通断的金属氧化物半导体场效应晶体管,所述微处理器的输出端与所述光电耦合器的输入端连接,所述光电耦合器的输出端与所述金属氧化物半导体场效应晶体管的输入端连接;所述金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端与所述电磁铁连接。 |
地址 |
518055广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城 |