发明名称 解角器结构的配置方法
摘要 本发明提供一种解角器结构的配置方法,包含步骤a.设定解角器定子磁极数(N<SUB>s</SUB>),须为相数(q)的整数倍(t);步骤b.以推导公式求取转子磁极数(N<SUB>r</SUB>);及步骤c.当取得定子磁极数(N<SUB>s</SUB>)与转子磁极数(N<SUB>r</SUB>)后,据此二者相对槽齿配置,产生相位差的输出讯号;藉上述步骤,配置出解角器定子与转子的对应结构。
申请公布号 CN101029818A 申请公布日期 2007.09.05
申请号 CN200610008100.4 申请日期 2006.03.01
申请人 大银微系统股份有限公司 发明人 张家铭;王之佑;黄列峰
分类号 G01B7/30(2006.01);G01D5/245(2006.01);H02K1/12(2006.01);H02K24/00(2006.01) 主分类号 G01B7/30(2006.01)
代理机构 北京元中知识产权代理有限责任公司 代理人 王明霞;张聚增
主权项 1.一种解角器结构的配置方法,其特征在于,包含下列步骤:a.设定解角器定子磁极数(Ns),须为相数(q)的整数倍(t);b.以下述推导公式求取转子磁极数(Nr),其中,n为转子磁极间跨距数,k为定子磁极间的缓冲间距;<math> <mrow> <msub> <mi>N</mi> <mi>s</mi> </msub> <mo>&times;</mo> <mo>[</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <mi>q</mi> <mo>+</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>q</mi> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mo>+</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>n</mi> <mo>&PlusMinus;</mo> <mfrac> <mi>k</mi> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mo>]</mo> <mo>=</mo> <msub> <mi>N</mi> <mi>r</mi> </msub> </mrow> </math> c.当取得定子磁极数(Ns)与转子磁极数(Nr)后,据此二者相对槽齿配置,产生相位差的输出讯号;藉上述步骤,配置出解角器定子与转子的对应结构。
地址 台湾省台中市