| 发明名称 | 从蚀刻晶片脱模光致抗蚀剂的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在低－k(k＜3.0)电介质层中形成特征的方法。将低－k电介质层放置在基底上。将图案化的光致抗蚀掩模放置在所述低－k电介质层上。将至少一个特征蚀刻到所述低－k电介质层中。提供包含CO<SUB>2</SUB>的脱模气。从包含CO<SUB>2</SUB>的脱模气形成等离子体。使用来自包含CO<SUB>2</SUB>的脱模气的等离子体来脱模所述图案化的光致抗蚀掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN101032003A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200580032800.0 | 申请日期 | 2005.07.20 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | E·A·哈森;P·奇里格利亚诺 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);G03F7/42(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张轶东;邹雪梅 |
| 主权项 | 1、一种在低-k电介质层中形成特征的方法，包括：在基底上放置低-k电介质层；在所述低-k电介质层上放置图案化的光致抗蚀掩模；将至少一个特征蚀刻到所述低-k电介质层中；提供包含CO2的脱模气；从包含CO2的脱模气形成等离子体；和使用来自从包含CO2的脱模气形成的等离子体的产品来脱模所述图案化的光致抗蚀掩模。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||