| 发明名称 | 使用聚合物络合剂对铜CMP的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种抛光包含有含铜金属层的基底的方法，所述方法包含有如下步骤：(i)提供化学-机械抛光体系包含有液态载体、抛光垫、研磨剂和带负电荷的聚合物或共聚物，(ii)将该抛光体系与基底接触，和(iii)磨去至少部分基底以抛光基底的金属层。该带负电荷的聚合物或共聚物包含有一种或多种分子量为20,000g/mol或更高的选自磺酸、磺酸化物、硫酸盐、膦酸、膦酸化物和磷酸盐的单体，覆盖在至少部分研磨剂上以至于该研磨剂具有的Z电势值随着带负电荷的聚合物或共聚物与研磨剂发生相互作用而降低。 | ||
| 申请公布号 | CN100336188C | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN02824410.9 | 申请日期 | 2002.12.03 |
| 申请人 | 卡伯特微电子公司 | 发明人 | 戴维·J·施罗德;菲利普·卡特;杰弗里·P·张伯伦;凯尔·米勒;艾萨克·K·切里安 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01) | 主分类号 | H01L21/321(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 贾静环;宋莉 |
| 主权项 | 1.抛光包含有含铜金属层的基底的方法，其中所述方法包含有如下步骤：(i)提供化学-机械抛光体系，包含有：(a)液态载体，(b)抛光垫，(c)研磨剂，和(d)带负电荷的聚合物或共聚物，其中，带负电荷的聚合物或共聚物(i)包含有一种或多种选自磺酸、磺酸化物、硫酸盐、膦酸、膦酸化物和磷酸盐的单体，(ii)具有20,000g/mol或更高的分子量，(iii)覆盖至少部分研磨剂以至于该研磨剂具有的Z电势值随着带负电荷的聚合物或共聚物与研磨剂发生相互作用而降低，(ii)用该化学-机械抛光体系与包含有含铜金属层的基底接触，和(iii)研磨至少部分基底以抛光该基底的金属层。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||