| 发明名称 | 半导体器件和金属互连 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底；和异种元素扩散的金属层，它形成在所述半导体衬底上，含有铜和除了铜外的异种元素，并在其表面上具有基本均匀的取向。本发明还涉及一种由含有多种异种元素的电镀金属层构成的金属互连，其中，在所述电镀金属层中含有的晶粒的平均尺寸不小于1微米。 | ||
| 申请公布号 | CN101030568A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200710088907.8 | 申请日期 | 2003.07.08 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 国岛浩之;竹胁利至 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/482(2006.01) | 主分类号 | H01L23/532(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底；和异种元素扩散的金属层，它形成在所述半导体衬底上，含有铜和除了铜外的异种元素，并在其表面上具有基本均匀的取向。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||