一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法

摘要

一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器与制备方法。呈台面结构，设有n⁺型4H－SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n⁺型缓冲层、超低掺杂n^－型层、δ掺杂n型层、低掺杂n^－型层和高掺杂p⁺型层，超低掺杂n^－型层、δ掺杂n型层和低掺杂n^－型层共同构成有源层；设有至少3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于n⁺型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，设p型和n型电极。

主权项

1.一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器，其特征在于呈台面结构，设有n+型4H-SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n+型缓冲层、超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层、低掺杂n-型层和高掺杂p+型层，超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层和低掺杂n-型层共同构成有源层；设有至少3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于n+型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，在p+型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在衬底背面设有n型电极。