| 发明名称 | 半导体器件的导线形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成半导体器件导线的方法。在通过接触孔暴露的掺杂结区上形成钴硅化物层，该钴硅化物层可使接触电阻稳定，因此，掺杂结区的接触电阻在后续热处理工序中不发生变化。 | ||
| 申请公布号 | CN100336187C | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200410061945.0 | 申请日期 | 2004.06.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 陈成坤 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的导线形成方法，包括以下步骤：在包括一栅电极和一掺杂结区的一半导体基底上形成一较低绝缘膜；蚀刻所述较低绝缘膜，以形成暴露所述栅电极的上表面的一第一接触孔和暴露所述掺杂结区的一第二接触孔；在通过所述第二接触孔暴露的所述掺杂结区上形成一钴硅化物层；在包括所述第一和第二接触孔的所述半导体基底上形成由一Ti膜和一TiN膜组成的一叠层结构；在包括所述第一和第二接触孔的所述较低绝缘膜上形成一导电层；及对所述导电层构图，以形成导线图形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||