发明名称 |
一种对胆甾相液晶所存储信息的擦除或写入方法 |
摘要 |
本发明提供了一种对胆甾相液晶热擦除写入的方法,属于液晶显示领域,使用一种螺旋扭曲力随温度升高而降低的手性化合物与向列相液晶混合成胆甾相液晶,手性化合物质量分数:0.1%-20%,将这种胆甾相液晶注入未作表面处理或作沿面取向处理的液晶盒中,施加一个大于其阈值电压、小于击穿电压的电场或由各向同性态降温15~30℃的方法,使其处于焦锥织构;将这种胆甾相液晶温度升高到擦除或写入温度,擦除或写入温度为:小于清亮点温度40~1℃;实现胆甾相液晶的热擦除或写入。优点在于:可以在不利用电场、磁场,不使用负性液晶或双频驱动液晶的情况下,实现胆甾相液晶以较快的速度由焦锥织构转变为平面织构。 |
申请公布号 |
CN100335945C |
申请公布日期 |
2007.09.05 |
申请号 |
CN200510086631.0 |
申请日期 |
2005.10.17 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
杨槐;耿君;董辰;马征;石琳;高建勋;曹晖;王立萍 |
分类号 |
G02F1/13(2006.01);C09K19/00(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/13(2006.01) |
代理机构 |
北京科大华谊专利代理事务所 |
代理人 |
刘月娥 |
主权项 |
1、一种对胆甾相液晶所存储信息的擦除或写入方法,其特征在于:使用一种螺旋扭曲力随温度升高而降低的手性化合物与向列相液晶混合成胆甾相液晶,其中,手性化合物质量分数:0.1%-20%,将这种胆甾相液晶注入未作表面处理或作沿面取向处理的液晶盒中,通过施加一个大于平面织构到焦锥织构转变的阈值电压、小于击穿电压的电场或由各向同性态降温15~30℃的方法,使胆甾相液晶处于焦锥织构;将这种胆甾相液晶温度升高到擦除或写入温度,根据材料的不同以及擦除或写入时间的不同,擦除或写入温度为:小于清亮点温度1~40℃;结果液晶的螺距变大,焦锥织构就会不稳定,1小时内转变为平面织构,降低温度到15~30℃,液晶的螺距变小,平面织构在常温下是长期稳定的,因此平面织构这种排列方式就固定下来,回到了最初的平面织构状态;通过这种方式就可以实现胆甾相液晶的热擦除或写入。 |
地址 |
100083北京市海淀区学院路30号 |