发明名称 ELECTRIC CONTACTS WITH A MINIMAL CONTACT SURFACE FOR NON-VOLATILE MEMORY CELLS
摘要 <p>Ein Kontaktbereich kann in einer Kontaktebene einer nicht-flüchtigen Speicherzelle mit äußerst geringer Fläche effi-zient und reproduzierbar erzeugt werden, wenn zunächst auf einer Basisschichtebene (252) eine Katalysatorinsel (254) aufgebracht wird und wenn darauffolgend ein Nanoröhrchen (110a, 110b; 256) an der Katalysatorinsel (254) aufgewach-sen wird, welches von der Basisschichtebene hervorsteht, so dass nach Aufbringen eines Schichtmaterials (260) auf die Basisschichtebene (252) das Nanoröhrchen (110a, 110b; 256) bis zur Kontaktebene reicht und dabei innerhalb der Kon-taktebene im Kontaktbereich endet, sodass bei weiterem Auf-bringen eines Speichermaterials (104) dieses im Kontaktbe-reich mit der Basisschichtebene kontaktierbar ist.</p>
申请公布号 WO2007093190(A1) 申请公布日期 2007.08.23
申请号 WO2006EP01415 申请日期 2006.02.16
申请人 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;VOGT, HOLGER 发明人 VOGT, HOLGER
分类号 H01L45/00;H01L21/768 主分类号 H01L45/00
代理机构 代理人
主权项
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