| 发明名称 | Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，所需靶材由高纯ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合压制而成，得到磁控溅射靶材；步骤2：将衬底加温至一恒温；步骤3：利用射频磁控溅射方法，在氩气环境中将靶材溅射沉积在衬底之上；步骤4：进行原位高温退火处理，得到Mg－Sb共掺杂的p型ZnO薄膜材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101022141A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200610003121.7 | 申请日期 | 2006.02.16 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王鹏;陈诺夫;尹志岗 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/203(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/08(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种Mg-Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，所需靶材由高纯ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合压制而成，得到磁控溅射靶材；步骤2：将衬底加温至一恒温；步骤3：利用射频磁控溅射方法，在氩气环境中将靶材溅射沉积在衬底之上；步骤4：进行原位高温退火处理，得到Mg-Sb共掺杂的p型ZnO薄膜材料。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||