| 发明名称 | 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种衬底处理装置，包括：处理室(201)；保持部件(217)；加热部件(207)；向处理室内交替供给第1和第2反应物质的供给部件(232a、232b)；供给第1反应物质，使第1反应物质吸附于衬底上后，除去剩余的第1反应物质，接着，供给第2反应物质，使第2反应物质与吸附于衬底上的第1反应物质发生反应，从而在衬底上形成薄膜；还具有控制部，在保持部件所保持的产品用衬底的张数未达到保持部件能保持的产品用衬底的最大保持张数时，在产品用衬底的张数不足的状态下实施形成薄膜的处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101023515A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200580031629.1 | 申请日期 | 2005.10.05 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 宫博信;野田孝晓;水野谦和;境正宪;佐藤武敏 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);C23C16/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1.一种衬底处理装置，包括：处理室；在上述处理室内至少保持多个产品用衬底的保持部件；对上述衬底进行加热的加热部件；向上述处理室内交替供给至少第1和第2反应物质的供给部件；开口于上述处理室的排气口；以及控制部，上述控制部，实施如下处理：将上述第1反应物质供给到上述处理室内，使上述第1反应物质吸附于上述保持部件所保持的上述产品用衬底上后，从上述处理室内除去剩余的上述第1反应物质，接着，将上述第2反应物质供给到上述处理室内，使上述第2反应物质与吸附于上述衬底上的上述第1反应物质发生反应，由此在衬底上形成薄膜，在上述保持部件所保持的上述产品用衬底的张数未达到上述保持部件能保持的上述产品用衬底的最大保持张数时，使得在上述产品用衬底的张数不足的状态下实施形成薄膜的上述处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||