非易失存储器的制造方法

摘要

一种非易失存储器的制造方法，首先提供衬底，于衬底上依序形成复合介电层、牺牲层与掩膜层。之后，图案化掩膜层，以形成暴露出牺牲层之多数个第一开口。接下来，移除第一开口所暴露出之部分牺牲层，再于第一开口中形成多数个第一栅极。之后，移除掩膜掩膜层，以于第一栅极之间形成多数个第二开口。然后，在第一栅极的顶部及侧壁形成一绝缘层。接着，再移除这些第二开口所暴露出之部分牺牲层，并于这些第二开口中形成多数个第二栅极。多数个第二栅极与多数个第一栅极构成存储胞串行。继而，于存储胞串行两侧之衬底中各自形成源极/漏极区。

主权项

1.一种非易失存储器的制造方法，包括：提供衬底；于该衬底上形成复合介电层，该复合介电层包括底介电层、电荷俘获层与顶介电层；于该复合介电层上形成牺牲层；于该牺牲层上形成掩膜掩膜层；图案化该掩膜掩膜层，以形成暴露该牺牲层之多数个第一开口；移除该些第一开口所暴露之部分该牺牲层；于该些第一开口中形成多数个第一栅极，该些第一栅极与该些第一栅极下方之该复合介电层构成多数个第一存储胞；移除该掩膜掩膜层，以于该些第一栅极之间形成多数个第二开口；于该些第一栅极的顶部及侧壁形成绝缘层；移除该些第二开口所暴露之部分该牺牲层；于该些第二开口中形成多数个第二栅极，该些第二栅极与该些第二栅极下方之该复合介电层构成多数个第二存储胞，该些第二存储胞与该些第一存储胞构成存储胞串行；以及于该存储胞串行两侧之该衬底中各自形成源极/漏极区。