| 发明名称 | 透明导电膜 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供在保持高透明性和导电性的同时具有与基材紧密附着性和耐龟裂性优异的透明导电膜。其特征在于，交替叠层由金属氧化物构成的低密度金属氧化物层和高密度金属氧化物层、且将所述低密度金属氧化物层的密度作为M1，将高密度金属氧化物层的密度作为M2时，满足下述式(1)所规定的条件，式(1)：1.01≤M2/M1≤1.400。 | ||
| 申请公布号 | CN101023499A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200580031729.4 | 申请日期 | 2005.09.14 |
| 申请人 | 柯尼卡美能达控股株式会社 | 发明人 | 清村贵利;间宫周雄;工藤一良;辻稔夫;齐藤笃志 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01);C23C16/40(2006.01);H01B13/00(2006.01) | 主分类号 | H01B5/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元 |
| 主权项 | 1.一种透明导电膜，其中，在基材上交替叠层由金属氧化物构成的低密度金属氧化物层和高密度金属氧化物层、且将所述低密度金属氧化物层的密度作为M1，将高密度金属氧化物层的密度作为M2时，满足下述式(1)所规定的条件，式(1)：1.01≤M2/M1≤1.400。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||