发光二极管结构

摘要

本发明是关于一种具有建构式氧化薄膜接触层的发光二极管结构。此发光二极管结构是架构于一基板上，包含一形成于此基板上的缓冲层、一形成于此缓冲层上的下束缚层、一形成于此下束缚层上的发光层、一形成于此发光层上的上束缚层、一形成于此上束缚层上的建构式氧化薄膜接触层，其导电性可为P型、N型或I型，以及第一电极与第二电极(透明电极)，其中透明电极形成于建构式氧化薄膜接触层上，作为发光二极管的阳极。第一电极则形成于下束缚层上，并与发光层、上束缚层、接触层及透明电极隔离，作为发光二极管的阴极。

主权项

1.一种发光二极管结构，包括：一基板；一形成于该基板上的第一导电型缓冲层；一形成于该缓冲层上的下束缚层；一形成于该下束缚层上的发光层；一形成于该发光层上的上束缚层；一形成于该上束缚层上的接触层，该接触层的导电性为P型、N型或I型，其是由P+GaN、Y1InN、Y2Inx1Ga1-x1N以及Y3InN四种材料所堆叠而成，其中0≤X1＜1，Y1、Y2及Y3为P型或N型掺杂物；一形成于该下束缚层上，且与该发光层、该上束缚层及该接触层隔离的第一电极；以及一形成于该接触层上的第二电极。