| 发明名称 | 形成多晶硅薄膜装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成多晶硅薄膜装置的方法，包括以下步骤：提供一基板；形成一多晶硅薄膜于该基板上，其中该多晶硅薄膜具有朝一晶粒成长方向排列的多个硅晶粒；以及形成多个薄膜晶体管，每一该多个薄膜晶体管具有一信道区域，该信道区域是以该多晶硅薄膜的一部分所形成；其中至少一信道区域具有一信道方向平行该晶粒成长方向的等效平行信道区域，以及一信道方向垂直该晶粒成长方向的等效垂直信道区域。本发明提供一种形成多晶硅薄膜装置的方法，通过信道区域的设计而使得多晶硅薄膜装置上的薄膜晶体管呈现较佳电气特性均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101022091A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200610007569.6 | 申请日期 | 2006.02.16 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 朱芳村;陈昱丞 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/20(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;徐金国 |
| 主权项 | 1.一种形成多晶硅薄膜装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；形成一多晶硅薄膜于该基板上，其中该多晶硅薄膜具有朝一晶粒成长方向排列的多个硅晶粒；形成多个薄膜晶体管，每一该多个薄膜晶体管具有一信道区域，该信道区域以该多晶硅薄膜的一部分所形成；其中至少一信道区域具有一信道方向平行该晶粒成长方向的等效平行信道区域，以及一信道方向垂直该晶粒成长方向的等效垂直信道区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||