| 发明名称 | 半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体激光元件、半导体激光元件的安装结构、半导体激光元件的制造方法以及半导体激光元件的安装方法。在N型GaAs衬底(2)上，形成N型GaAs缓冲层(4)、N型GaInP中间层(6)、N型AlGaInP包层(8)、非掺杂MQW有源层(10)、P型AlGaInP包层(12)、P型AlGaInP包层(14)、P型GaAs盖层(16)。P型包层(14)以及P型盖层(16)在脊部(15)上形成。窄幅部(17)在N型衬底(2)的上部及所述各层中形成，在脊部(15)的侧面、窄幅部(17)的表面、和N型衬底(2)的台阶部(2a)的表面形成SiO<SUB>2</SUB>膜(18)。在脊部(15)和窄幅部(17)的表面形成的SiO<SUB>2</SUB>膜(18)的上面形成P侧电极层(23)。 | ||
| 申请公布号 | CN101022207A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200710087983.7 | 申请日期 | 2007.01.15 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 宫嵜启介 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01);H01S5/02(2006.01);H01S5/022(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光元件，其特征在于，具有：衬底；在所述衬底上形成的下部包层；在所述下部包层上形成的有源层；在所述有源层上形成的第一上部包层；覆盖所述第一上部包层、有源层以及下部包层的侧面的电介质膜；覆盖所述电介质膜、并且电连接所述第一上部包层的电极层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||