| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置，具备：选择栅(3)，该选择栅(3)设置在基板(1)上；浮置栅(6)，该浮置栅(6)设置在与第1区域邻接的第2区域上；第1扩散区域(7)，该第1扩散区域(7)设置在与第2区域邻接的第3区域上；驱动电路(22)，该驱动电路(22)控制施加给基板(1)、选择栅(3)、第1扩散区域(7)及控制栅(11)的电压。驱动电路(22)，在改写动作之际，控制电压，从而进行将与选择的控制栅(11)连接的位，置于包含耗尽状态的低阈值电压状态的第1控制，和按照各位，设定成所需的增强状态的低阈值电压状态或高阈值电压状态的第2控制。即使存储器单元被细微化，也能确保足够的动作冗余。 | ||
| 申请公布号 | CN101022116A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200710005291.3 | 申请日期 | 2007.02.14 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 金森宏治 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);G11C16/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储装置，其特征在于，具备：存储节，该存储节设置在基板上；控制栅，该控制栅配置在所述存储节之上；以及驱动电路，该驱动电路控制施加在所述基板及所述控制栅上的电压，所述驱动电路，在进行改写动作时，通过控制所述电压，从而进行使与选择的控制栅连接的位，成为包含耗尽状态的低阈值电压状态的第1控制，和设定成按照各所述位所需的增强状态的低阈值电压状态或高阈值电压状态的第2控制。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||