阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法

摘要

本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10-300mA/cm²范围，时间为5-30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。

主权项

1、一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法，包括：将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，在腐蚀槽内注入腐蚀液，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10-300mA/cm2范围，时间为5-30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，收集硅片上的纳米硅颗粒，其特征在于：腐蚀液包括HF和H2O2，其体积比1∶(1-5)。