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发明名称 Method for reading or writing from or into a ferroelectric transistor of a memory cell and a memory matrix
摘要
申请公布号 EP1126471(B1) 申请公布日期 2007.08.22
申请号 EP20010103349 申请日期 2001.02.13
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BACHHOFER, HARALD;BRAUN, GEORG;HANEDER, THOMAS PETER;HOENLEIN, WOLFGANG, DR.;ULLMANN, MARC
分类号 G11C11/22;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/105;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 G11C11/22
代理机构 代理人
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