发明名称 | 具有模型反馈更新的隔离/嵌套级联式修饰控制 | ||
摘要 | 该方法包括一种用于刻蚀处理的方法,其允许对隔离和嵌套结构/特征之间的偏置进行调节,对其中隔离结构/特征需要小于嵌套结构/特征并且嵌套结构/特征相对于隔离结构/特征需要被减小的过程进行校正,同时允许对修饰进行临界控制。 | ||
申请公布号 | CN101023522A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
申请号 | CN200580031573.X | 申请日期 | 2005.06.30 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 山下朝夫;梅里特·拉尼·芬克;丹尼尔·帕格 |
分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王怡 |
主权项 | 1.一种操作半导体处理系统的方法,包括:接收包括晶片的参考度量数据在内的输入数据,所述晶片的参考度量数据包括所述晶片上至少一个隔离结构的参考度量数据和所述晶片上至少一个嵌套结构的参考度量数据;利用所述晶片的参考度量数据创建包括用于控制第一刻蚀过程的第一控制计划的隔离/嵌套控制策略;以及利用所述晶片上至少一个嵌套结构的参考度量数据创建用于控制第二刻蚀过程的第二控制计划。 | ||
地址 | 日本东京都 |