| 发明名称 | 基于一维纳米材料的光电转换器件 | ||
| 摘要 | 一种能源技术领域的基于一维纳米材料的光电转换器件，包括：一个p型肖特基势垒结构，所述p型肖特基势垒结构由一维半导性纳米材料与功函数高于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的；一个n型肖特基势垒结构，所述n型肖特基势垒结构是由所述一维半导性纳米材料与功函数低于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的；基底，其位于两个肖特基势垒结构的下方，为器件的支撑部分。本发明的结构简单、长期使用稳定性高；整个制备工艺可在常温下进行，不出现高温；在模拟太阳光照射下具有较高的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101022137A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200710038026.5 | 申请日期 | 2007.03.13 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 张亚非;陈长鑫;刘丽月 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01);H01L31/078(2006.01) | 主分类号 | H01L31/042(2006.01) |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;张宗明 |
| 主权项 | 1、一种基于一维纳米材料的光电转换器件，其特征在于，包括：一个p型肖特基势垒结构，所述p型肖特基势垒结构由一维半导性纳米材料与功函数高于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的；一个n型肖特基势垒结构，所述n型肖特基势垒结构是由所述一维半导性纳米材料与功函数低于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的；基底，其位于两个肖特基势垒结构的下方，为器件的支撑部分。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||