多电平虚拟接地内存的读取方法

摘要

本发明系有关一种决定双端(dual sided)ONO闪存单元(500)中之位的电平(level)之技术(800)，其中可将该双端ONO闪存单元的每一位编程到多个电平(540、542、544)。本发明的一个或多个观点考虑到一位上的电荷之电平对另一位可能造成的影响，而此种影响也称为互补位干扰。系利用已知的跨导计量来作出位电平决定，以便提供较高程度的分辨率及正确性。在此种方式下，根据本发明的一个或多个观点决定该位电平会减少了不正确或错误的读取。

主权项

1.一种决定核心内存单元的位的编程电平的方法(800)，包含：针对该内存单元的个别位的核心电流斜率与对应于该位的可能电平的多个参考电流斜率作(842)斜率比较；以及根据该斜率比较来决定该位的电平。