| 发明名称 | 光电子薄膜芯片 | ||
| 摘要 | 本发明说明了一种光电子薄膜芯片，其具有在薄膜层(2)的有源区(7)中的至少一个辐射发射区域(8)，和设置在辐射发射区域(8)之后的透镜(10，12)，该透镜通过薄膜层(2)的至少一个部分区域构成，其中透镜(10，12)的横向延伸(Φ)大于辐射发射区域的横向延伸(δ)。此外还说明了用于制造这种光电子薄膜芯片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101023536A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200580031516.1 | 申请日期 | 2005.09.27 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 克劳斯·施特罗伊贝尔;拉尔夫·维尔特 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种光电子薄膜芯片，具有：在薄膜层(2)的有源区(7)中的至少一个辐射发射区域(8)，和设置在所述辐射发射区域(8)之后的透镜(10，12)，该透镜通过所述薄膜层(2)的至少一个部分区域构成，其中所述透镜(10，12)的横向延伸(Φ)大于所述辐射发射区域的横向延伸(δ)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||