偏置电路

摘要

一种在带隙电压基准电路和温度传感器中使用的偏置电路，包括一对晶体管(Q₁、Q₂)，其中第一晶体管(Q₁)被设置为以发射极电流I_bias进行偏置，以及第二晶体管被设置为以发射极电流的m倍mI_bias进行偏置。设置所述电路，以便部分地在具有值R_bias并且用于承载与I_bias相等的偏置电流的第一电阻装置的两端、以及部分地在具有与R_bias/m实质相等的值并且用于承载与第二晶体管的基极电流相等电流的第二电阻装置的两端，产生晶体管的基极－发射极电压之间的差。这导致当用于经由衬底双极型晶体管的发射极对衬底双极型晶体管进行偏置时，使用从其中产生实质是PTAT的集电极电流的偏置电流I_bias、以及实质上与衬底双极型晶体管的正向电流增益无关的基极－发射极电压。

主权项

1.一种偏置电路，包括一对晶体管(Q1、Q2)，第一晶体管(Q1)被设置为以发射极电流Ibias进行偏置，以及第二晶体管被设置为以发射极电流的m倍mIbias进行偏置，设置所述电路，以便部分地在具有值Rbias 并且用于承载与Ibias相等的偏置电流的第一电阻装置两端、以及部分地在具有与Rbias/m实质相等的值并且用于承载与第二晶体管的基极电流相等的电流的第二电阻装置的两端，产生晶体管的基极-发射极电压之间的差。