一种半导体激光器掩蔽膜的制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体激光器掩蔽膜的制作方法，包括以下步骤：(1)均匀涂敷聚酰亚胺；(2)烘烤；(3)涂正性光刻胶；(4)涂胶后烘烤；(5)曝光；(6)显影；(7)烘烤；(8)用有机溶剂去掉残留的正性光刻胶；(9)亚氨化：在高温炉里进行亚胺化。本发明利用旋涂等均匀涂敷方法涂敷聚酰亚胺、光刻后亚胺化的方法制作半导体激光器掩蔽膜，形成聚酰亚胺掩蔽膜，因为聚酰亚胺具有较好的塑性，避免了氧化物掩蔽工艺所形成的介质膜与激光晶片不匹配所形成的表面应力，保证了所制成器件的可靠性。本发明利用常规的光刻方法，省略了制作氧化物等步骤，简化了工艺，提高工作效率达15％以上。

主权项

1.一种半导体激光器掩蔽膜的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)涂敷聚酰亚胺：在激光器外延晶片表面均匀涂敷聚酰亚胺；(2)烘烤：将涂有聚酰亚胺的激光器外延晶片放入烘箱内，在100度以上温度下烘烤20～50分钟；(3)涂正性光刻胶：在烘烤后的聚酰亚胺层的表面再均匀地涂上正性光刻胶；(4)涂胶后烘烤：将涂正性光刻胶后的激光器外延晶片放入烘箱内，在80度以上温度下烘烤20～40分钟；(5)曝光：对烘烤后的正性光刻胶曝光；曝光区域为条形结构；使正性光刻胶及聚酰亚胺充分曝光；(6)显影：将曝光区域的正性光刻胶用弱碱性溶液显影，使窗口区域内无任何聚酰亚胺残留；(7)烘烤：显影后的激光器外延晶片放入烘箱内，在140以上温度下烘烤10～20分钟；(8)去胶：用有机溶剂去掉残留的正性光刻胶；(9)亚胺化：在高温炉里分三个阶段进行亚胺化，在160～220度时加热30～50分钟，在320～400度时加热60分钟～80分钟，在450～500度时加热3～6分钟。