发明名称 控制蚀刻工序的精确度和再现性的方法
摘要 本发明的实施例是有关于一种在工序基座(例如群集工具(cluster tool))中蚀刻的方法,此方法可实时(in-situ)得到有力的蚀刻前数据和蚀刻后数据。此方法的步骤包括取得基底上的图案在蚀刻前的关键尺寸测量值,蚀刻该图案,修整被蚀刻的基底以减少和/或移除蚀刻时沉积在图案侧壁上的聚合物,取得蚀刻后的关键尺寸的测量值。所测得的关键尺寸可用来调整蚀刻工序,以改善组件工序的精确度与再现性。
申请公布号 CN1333308C 申请公布日期 2007.08.22
申请号 CN200410083770.3 申请日期 2004.10.19
申请人 应用材料有限公司 发明人 大卫·幕伊;刘炜;佐佐野弘树
分类号 G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1.一种控制蚀刻工序的精确度和再现性的方法,包括:(a)提供一批基底,各基底具有一形成在一堆栈膜上的图案掩模,且该堆栈膜包括至少一材料层;(b)测量该批基底中至少一基底上的该图案掩模的构件的尺寸;(c)以一工序处方修整该至少一基底上的该图案掩模,该工序处方是与步骤(b)的测量值有关;之后,(d)蚀刻该至少一基底上的该至少一材料层;(e)测量蚀刻后的残留物的厚度,当残留物的厚度大于10nm时,对形成在该蚀刻结构的侧壁的至少一部份的该蚀刻后的残留物进行压合或移除;(f)测量进行步骤(d)之后的该至少一基底上的蚀刻结构的尺寸;以及(g)依照步骤(f)的测量值调整步骤(c)的该工序处方或/及步骤(d)的一工序处方。
地址 美国加州