| 发明名称 | 制作电光器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个EL层；以及在所述EL层上形成一个阴极。 | ||
| 申请公布号 | CN1333379C | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200510056333.7 | 申请日期 | 2000.06.03 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 |
| 分类号 | G09F9/30(2006.01);H05B33/10(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | G09F9/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰 |
| 主权项 | 1.一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个EL层；以及在所述EL层上形成一个阴极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||