CMOS工艺中的同轴互连的制作方法

摘要

提供了一种在介电层中制作同轴互连线的方法。此方法包括在介电层中确定沟槽，然后在沟槽中制作屏蔽金属化层。在制作屏蔽金属化层之后，在屏蔽金属化层中淀积共形氧化物层。然后在共形氧化物层中制作中心导体。一旦制作了中心导体，就在中心导体上淀积填充氧化物层。然后在填充氧化物层上制作与屏蔽金属化层接触的帽金属化层。

主权项

1.一种形成同轴互连线的方法，它包含：在半导体衬底上形成一层介电层；在介电层中形成沟槽；在沟槽中形成屏蔽金属化层；在屏蔽金属化层中形成共形氧化物层；在共形氧化物层上和沟槽中的一个区域上，形成衬垫金属化层；在衬垫金属化层上形成导电层，以填充所述沟槽中的区域；对导电层和衬垫层进行腐蚀，以便在沟槽中限定的区域中限定一个中心导体；在中心导体上形成填充氧化物层；以及在填充氧化物层上形成与屏蔽金属化层接触的帽金属化层。