| 发明名称 | 硅太阳能电池减反射薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于太阳能电池的硅太阳能电池减反射薄膜，该薄膜在硅片正表面沉积有富硅的氮化硅薄膜，在富硅氮化硅薄膜上面沉积有接近理想配比的氮化硅薄膜。靠近硅片表面的氮化硅薄膜含量高，表面钝化效果优于接近理想配比氮化硅薄膜，表面复合速度比正常配比氮化硅薄膜低一倍以上。富硅的氮化硅薄膜较薄，光吸收损失较少，仅吸收20％～30％波长在300纳米左右的短波光，对中长波光几乎没有吸收。其余氮化硅薄膜组分接近理想化学配比，几乎没有光吸收损失。采用多层或渐变折射率的氮化硅薄膜以后，比单一折射率(折射率为1.9～2.1)的氮化硅表面光反射减少2％～4％，也有利于提高电池效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101022135A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200710019794.6 | 申请日期 | 2007.02.09 |
| 申请人 | 江苏艾德太阳能科技有限公司 | 发明人 | 励旭东 |
| 分类号 | H01L31/0216(2006.01) | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01) |
| 代理机构 | 徐州市淮海专利事务所 | 代理人 | 华德明 |
| 主权项 | 1.一种硅太阳能电池减反射薄膜，其特征是在硅片正表面沉积有富硅的氮化硅薄膜，在富硅氮化硅薄膜上面沉积有接近理想配比的氮化硅薄膜。 | ||
| 地址 | 221004江苏省徐州市经济开发区蟠桃山路1号 | ||