| 发明名称 | 通过形成具有不同改质的本身应力的蚀刻阻碍层以于不同沟道区域中产生不同机械应力的方法 | ||
| 摘要 | 通过提供接点蚀刻终止层，可有效地控制不同晶体管类型的沟道区中的应力，其中可以诸如湿式化学蚀刻、电浆蚀刻、离子植入、及电浆处理等的已为大家接受的工艺得到该接点蚀刻终止层的抗拉应力及压缩应力部分。因此，可得到晶体管效能的显着改善，同时不会大幅增加工艺的复杂性。 | ||
| 申请公布号 | CN101023524A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200580017374.3 | 申请日期 | 2005.03.29 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | K·弗罗贝格;M·沙勒;M·阿明普 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在第一晶体管元件(100N)及第二晶体管元件(100P)之上形成第一介电质层(116)，该第一介电质层(116)具有第一指定内在机械应力；在该第二晶体管元件之上形成掩模层(140)，以露出在该第一晶体管元件(100N)之上形成的该第一介电质层(116)的第一部分，并覆盖在该第二晶体管元件(100P)之上形成的该第一介电质层(116)的第二部分；以及通过对该第一部分离子轰击(160)，而将该第一部分中的该第一内在应力修改为修改的内在应力。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||