| 发明名称 | 将四乙氧基硅烷用于形成高压器件栅氧层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种将四乙氧基硅烷(TEOS)分解生成的二氧化硅用于高压MOS器件栅氧化层的方法，四乙氧基硅烷分解生成的二氧化硅作为绝缘层氧化物是理想的选择，但由于这种材料含有水，在其上面覆盖其他膜层(如多晶电极)后，再进行高温热处理时会导致氧化层局部变薄(Localize Thinning)，最终使这种材料的抗电击穿性能不适用于MOS器件的栅氧层。本发明的方法可以防止TEOS的氧化物膜在后续的高温制程中局部变薄，并且提升四乙氧基硅烷分解生成的二氧化硅的抗电击穿性能，使其适用于高压集成电路的栅氧化层。用这种方法生成的高压MOS器件的栅氧化层，其栅氧化物完整性，阈值电压稳定性，高温工作寿命测试等各项参数均在预定规格之内，产品性能良好。 | ||
| 申请公布号 | CN101022079A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200610023846.2 | 申请日期 | 2006.02.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陆肇勇;黄柏喻;秦宏志;王燕军;张纯寿;陆文怡 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1、一种将四乙氧基硅烷用于形成高压MOS器件栅氧层的方法，所述方法采用常规的MOS器件制作工艺，用四乙氧基硅烷分解生成的二氧化硅作为栅氧层材料，其特征在于包括下列步骤：四乙氧基硅烷分解淀积形成栅氧层后，对栅氧层进行退火处理。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||