发明名称 |
垂直磁记录介质 |
摘要 |
一种垂直磁记录介质,包括:第一记录层(16);第二记录层(20),其与第一记录层产生铁磁耦合;以及中间层(18),其形成于第一记录层(16)与第二记录层(20)之间,并且包括形成于第一记录层(16)与非磁性层(18b)之间以及非磁性层(18b)与第二记录层(20)之间的铁磁层(18a、18c)。因此,可以提高垂直磁记录介质的再现输出。适当控制中间层的铁磁层和非磁性层的构造,从而还可以提高垂直磁记录介质的信噪比。 |
申请公布号 |
CN101022013A |
申请公布日期 |
2007.08.22 |
申请号 |
CN200610094037.0 |
申请日期 |
2006.06.20 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
清水早苗;栗田亮;杉本利夫;伊藤佑二 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01);G11B5/673(2006.01);G11B5/738(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张龙哺 |
主权项 |
1.一种垂直磁记录介质,包括:第一记录层;第二记录层,其与所述第一记录层形成铁磁耦合;以及中间层,其形成于所述第一记录层与所述第二记录层之间,并且包括非磁性层和铁磁层,所述铁磁层形成于所述第一记录层与所述非磁性层之间以及所述非磁性层与所述第二记录层之间的至少其中之一。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |