| 发明名称 | 具有增强电容的CMOS成像器光电二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有表面的半导体衬底的像素传感器单元；在衬底中形成的光敏元件具有与包括衬底表面的物理边界隔离的非横向设置的电荷收集区。光敏元件包括在第一导电型材料的衬底中形成的具有侧壁的沟槽；与至少一个侧壁相邻形成第二导电型材料的第一掺杂层；以及在第一掺杂层和至少一个沟槽侧壁之间并在衬底的表面形成第一导电型材料的第二掺杂层，第二掺杂层将第一掺杂层与至少一个沟槽侧壁和衬底表面隔离。在其它实施例中，提供了附加光敏元件，包括接触光敏元件的非横向设置的电荷收集区的横向设置的电荷收集区并在衬底表面形成的掺杂层下面。 | ||
| 申请公布号 | CN101022118A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200710005579.0 | 申请日期 | 2007.02.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·J·埃利斯－莫纳汉;D·J·皮尔森;J·W·阿基森;D·L·罗杰斯;M·D·亚费 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L31/102(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种像素传感器单元，包括：半导体衬底，具有表面；光敏元件，在具有非横向设置的电荷收集区的衬底中形成；所述非横向电荷收集区与包括所述衬底表面的物理边界完全隔离。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||