| 发明名称 | 具有应变膜的绝缘体上硅装置及用于形成应变膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种具有应变膜(14)的绝缘体上硅装置，包括基板(10)以及在该基板(10)上的埋藏氧化物层(12)。硅岛(18)系形成于该埋藏氧化物层(12)上，并且藉由沟槽(16)而将该硅岛(18)彼此隔开，该埋藏氧化物层(12)具有在该沟槽(16)正下方的凹处(22)，材料(24)填补该凹处(22)与该沟槽(16)，此材料(24)与形成于该埋藏氧化物层(12)材料不同，该材料(24)是导入净应变量于该硅岛(18)中，藉此修正在该应变膜(14)中的载流子的电性并且改善装置性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1333454C | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN03813263.X | 申请日期 | 2003.06.04 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | W·P·毛斯萨拉 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种用于形成应变膜的方法，包括下列步骤：蚀刻在绝缘体上硅结构的埋藏氧化物层(12)中的凹处(22)，该绝缘体上硅结构具有基板(10)、在该基板(10)上的埋藏氧化物层(12)、以及在该埋藏氧化物层(12)上的硅层(14)，该硅层(14)具有沟槽(16)，而且在该埋藏氧化物层(12)中的凹处(22)的蚀刻包括蚀刻贯穿在该硅层(14)中的沟槽(16)及蚀刻硅层(14)下方的底切(20)；以及以导入在该硅层(14)中的净应变量材料(24)填补在该埋藏氧化物层(12)中的凹处(22)与该沟槽(16)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||