| 发明名称 | 非易失性存储装置以及用于该存储装置的擦除方法 | ||
| 摘要 | 在擦除步骤过程期间，预编程操作(S1)之后，擦除操作(S3)以及APDE操作(S5)通过APDE检查操作(S6：P)而执行与确认，且由擦除检查操作的确认(S7：P)而完成，步骤A在多个存储单元的软编程操作(S10)之前执行。继续执行一种仿存储单元编程操作(S8)，直到仿存储单元编程检查操作(S9)确认编程操作已完成。通过在仿存储单元的程序操作的执行，通过位线施加相似于程序操作的电压应力于过擦除态的存储单元上。因此，释放过擦除态藉以降低行漏出电流。在软编程检查操作(S11)期间，可以阻止错误识别，也可以避免过度软编程。 | ||
| 申请公布号 | CN101023497A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200480043810.X | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 | 发明人 | 田冈英穗;铃村嘉裕;平野幹児;川本悟 |
| 分类号 | G11C16/34(2006.01) | 主分类号 | G11C16/34(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储装置的数据擦除方法，通过预定数目的数据输入/输出端子而连接多个电性可重写存储单元至该非易失性存储装置，该数据擦除方法包括以下步骤：在多个存储单元上执行擦除操作；以及在擦除操作后，施加与编程操作有关的偏压到数据输入/输出端子，而不对特定存储单元连续执行编程操作。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||