| 发明名称 | 一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法 | ||
| 摘要 | 一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法，它是利用硅单晶切磨加工后自身形成的损伤层，对其进行控制腐蚀(包括碱腐蚀、酸腐蚀或酸碱混合腐蚀)或控制抛光加工，通过控制腐蚀量或抛去量的工艺条件，去除该硅单晶片部分的损伤层厚度而保留一定的残留损伤层厚度，使硅单晶片具有外吸杂能力，本发明是一种新的很有效的外吸杂方法。该方法简便，去除了制备传统具外吸杂能力(如采用背面喷砂)硅单晶抛光片工艺流程中的损伤加工工序，节省了材料消耗，缩短加工时间，具有很大的经济效益。 | ||
| 申请公布号 | CN101022082A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200610119211.2 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 上海合晶硅材料有限公司;栾兴伟 | 发明人 | 栾兴伟;周兴峰 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙粹芳 |
| 主权项 | 1.一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法，其特征在于利用硅单晶切磨加工后自身形成的损伤层，对其进行控制腐蚀或控制抛光加工，去除硅单晶片部分的损伤层厚度而保留能使硅片具有吸杂能力要求的残留损伤层厚度。 | ||
| 地址 | 201617上海市松江区贵南路500号 | ||